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正耀电子有限公司

BASiC基本SiC MOSFET,BASiC基本SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,BASiC基本SOT-2...

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公司介绍
 昆山正耀电子成立于2006年,我们是一家专业的电子元器件分销商,员工人数100+人,在全国各地设有7个办事处。授权代理宏发(HF), 兆易(GD),圣邦微(SGM),新洁能(NCE),芯朋微(Chipown),立隆(Lelon),强茂(PANJIT),纳芯微(NSi),台晶(TXC),君耀(BrightKing),东微,捷捷微等品牌。
 
我们的团队充满朝气与活力,团队平均年龄不超过30岁,70%以上人员拥有超5年的行业工作经验,我们为客户提供研发选型阶段之规格推荐,样品提供,技术支持及方案整合等专业的服务,并配合客户依照需求提前备料及库存管理。 
 
我们已经在新能源、汽车电子、工业控制、电力电子、医疗、物联网、机器人等领域拥有比较高的市场占有率。我们持续提供快速的反馈及优越的交货服务满足客户差异化之需求,以创造更高的产品附加价值。
 
BASiC基本碳化硅MOSFET具备开关中的小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗,以及无阈值通态特性等。非常适合硬开关和谐振开关拓扑,如LLC和ZVS,广泛应用于OBC车载充电器,光伏储能逆变器,充电桩电源模块等,可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来高效率,从而可以减小系统尺寸、增大功率密度,并确保高可靠性,延长使用寿命。
 
BASiC基本SiC MOSFET,BASiC基本SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,BASiC基本SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变器SiC MOSFET
 
BASiC基本混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关优化的IGBT晶圆以及650VBASiC基本SiC二极管,基本SiC二极管极小Qrr,有效降低对管IGBT开通损耗,且自身反向恢复损耗Erec也明显降低,IGBT开通损耗随温度的影响很小,降低EMI,广泛应用于OBC车载充电器,光伏储能逆变器,充电桩电源模块,移动储能逆变器功率因数校正(PFC)、DC-DC(直流-直流)和DC-AC(直流-交流)等。
公司档案
公司名称: 正耀电子有限公司 公司类型: 企业单位 ()
所 在 地: 江苏/苏州市 公司规模:
注册资本: 未填写 注册年份: 2006
资料认证:
保 证 金: 已缴纳 0.00
经营范围: BASiC基本SiC MOSFET,BASiC基本SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,BASiC基本SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变器SiC MOSFET
销售的产品: BASiC基本SiC MOSFET,BASiC基本SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,BASiC基本SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变器SiC MOSFET
采购的产品: BASiC基本SiC MOSFET,BASiC基本SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,BASiC基本SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变器SiC MOSFET
主营行业:
电子、电器、通讯系列
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